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BUK9E06-55A	文件：327.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUK9E06-55A	文件：827.57 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9E06-55A	文件：115.2 Kbytes Page：16 Pages	TrenchMOSlogiclevelFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BUK9E06-55B	文件：691.66 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedtotheappropriate AECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits Lowconduction	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9E06-55B	文件：327.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUK9E06-55B	文件：194.92 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BUK9E06-55B	文件：115.47 Kbytes Page：15 Pages	N-channelTrenchMOSTMlogiclevelFET [Philips] Generaldescription N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingPhilipsHigh-PerformanceAutomotive(HPA)TrenchMOS™technology,featuringverylowon-stateresistance. Features ■TrenchMOS™technology ■Q101compliant ■175°Crated ■Log	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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更多BUK9E06-55AB供应商更新时间2024-9-21 17:18:00

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