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BUK965R4-40E	文件：720.96 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BUK965R4-40E；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：720.96 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK965R4-40E_15	文件：216.3 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：216.3 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK965R4-40E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET Logic level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC Q101 compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True logic level gate with Vgst(th) rating of greater than 0.5V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK98150-55A/CUF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT223	NEXPERIA 安世上传：深圳市祥瑞智科技有限公司	NEXPERIA
BUK98180-100A/CU	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT223	NEXPERIA 安世上传：深圳市毅创辉电子科技有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
40
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
4.4
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
5.4
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
75
QGD [typ] (nC)：
12.6
Ptot [max] (W)：
137
Qr [typ] (nC)：
22.6
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
3363
Coss [typ] (pF)：
420
Release date：
2012-06-18

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