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BUK9620-100A	文件：321.63 Kbytes Page：15 Pages	TrenchMOS logic level FET Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Q101 compliant ■ 175 °C rated ■ Logic level compatible. Applications ■ Automotive and general 文件：321.63 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK9620-100A	文件：333.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Low RDS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switch 文件：333.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUK9620-100B	文件：703.96 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits AE 文件：703.96 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9620-55	文件：67.94 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended fo 文件：67.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK9620-55A	文件：322.49 Kbytes Page：15 Pages	TrenchMOS logic level FET Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Q101 compliant ■ 175 °C rated ■ Logic level compatible. Applications ■ Automotive and general pu 文件：322.49 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK9620-55A	文件：333.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Source Voltage : VDSS= 55V(Min) ·Low RDS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switchi 文件：333.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUK9620-55A	文件：968.51 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits  L 文件：968.51 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9620-100B	文件：203.93 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：203.93 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
BUK9620-100B_15	文件：203.93 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：203.93 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK9620-55A_15	文件：355.29 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：355.29 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
55
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
18
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
20
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
21
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
54
Ptot [max] (W)：
118
Qr [typ] (nC)：
81
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1660
Coss [typ] (pF)：
290
Release date：
2010-09-02

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