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BUK7Y18-55B	文件：789.14 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critica 文件：789.14 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7Y18-75B	文件：804.67 Kbytes Page：13 Pages	丝印：71875B；Package：LFPAK56；N-channel TrenchMOS standard level FET 1. General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical 文件：804.67 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7Y18-55B	文件：226.45 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：226.45 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y18-55B_15	文件：183.89 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：183.89 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7Y18-75B	文件：354.16 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：354.16 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y18-75B_15	文件：314.71 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：314.71 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7Y18-55B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia's High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. • AEC-Q101 compliant\n• Suitable for standard level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK7Y18-75B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia's High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. • AEC-Q101 compliant\n• Suitable for standard level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT669
Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
55
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
18
I_D [max] (A)：
47.4
Q_GD [typ] (nC)：
8.1
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
21.9
P_tot [max] (W)：
85
Q_r [typ] (nC)：
55
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
947
C_oss [typ] (pF)：
223
Date：
2011-01-27

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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