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BUK7Y13-40B	文件：741.61 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critica 文件：741.61 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7Y13-40B	文件：198.44 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：198.44 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y13-40B	文件：88.91 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：88.91 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y13-40B_08	文件：198.44 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：198.44 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y13-40B_15	文件：198.44 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：198.44 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7Y13-40B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia's High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. • 175 °C rated\n• Q101 compliant\n• Suitable for standard level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
40
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
13
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
58
QGD [typ] (nC)：
5
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
19
Ptot [max] (W)：
85
Qr [typ] (nC)：
22
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
983
Coss [typ] (pF)：
280
Release date：
2011-01-27

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更多BUK7Y13供应商更新时间2025-11-3 9:03:00

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