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BUK7Y102-100B	文件：938.39 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critica 文件：938.39 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7Y10-30B	文件：805.35 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critica 文件：805.35 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7Y102-100B	文件：358.84 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：358.84 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y102-100B_15	文件：358.84 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：358.84 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7Y10-30B	文件：204.25 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：204.25 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BUK7Y10-30B_15	文件：204.25 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：204.25 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7Y102-100B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia's High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. • AEC-Q101 compliant\n• Suitable for standard level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK7Y10-30B	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK7Y10-30B - N-channel TrenchMOS standard level FET N-channel TrenchMOS standard level FET - Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive c ·Q101 compliant\n·Suitable for standard level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT669
Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
10
I_D [max] (A)：
67
Q_GD [typ] (nC)：
5.6
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
18.8
P_tot [max] (W)：
85
Q_r [typ] (nC)：
38
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
887
C_oss [typ] (pF)：
332
Date：
2011-01-27

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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