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BUK7613-100E	文件：724.64 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BUK7613-100E；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：724.64 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7613-60E	文件：719.86 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BUK7613-60E；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：719.86 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7613-75B	文件：746.6 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits 文件：746.6 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7613-75B	文件：305.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Source Voltage : VDSS= 75V(Min) ·Low RDS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose swi 文件：305.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUK7613-100E_15	文件：217.91 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：217.91 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7613-60E_15	文件：212.7 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FETll 文件：212.7 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7613-75B	文件：298.27 Kbytes Page：15 Pages	TrenchMOS standard level FET 文件：298.27 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BUK7613-75B_15	文件：169.4 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：169.4 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7613-100E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC-Q101 compliant\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1 V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK7613-60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC-Q101 compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1 V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT404
Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
13
I_D [max] (A)：
72
Q_GD [typ] (nC)：
25.4
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
69.4
P_tot [max] (W)：
182
Q_r [typ] (nC)：
106
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
3400
C_oss [typ] (pF)：
327
Date：
2012-09-06

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