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BUK7516-55A	文件：332.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BUK7516-55A	文件：503.27 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BUK7516-55A	文件：306.89 Kbytes Page：15 Pages	TrenchMOS standard level FET	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUK7516-55A_15	文件：237.67 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA D2PAK	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：万三科技(深圳)有限公司

更多BUK7516-55A供应商更新时间2025-8-3 16:30:00