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BUK6D81-80E中文资料安世数据手册PDF规格书

BUK6D81-80E
厂商型号

BUK6D81-80E

功能描述

80 V, N-channel Trench MOSFET

丝印标识

4W

封装外壳

DFN2020MD-6

文件大小

298.88 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:19:00

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BUK6D81-80E规格书详情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6

(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Extended temperature range Tj = 175 °C

• Side wettable flanks for optical solder inspection

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)

• Trench MOSFET technology

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• Low-side load switch

• Switching circuits

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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