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BUK662R7-55C	文件：918.24 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：918.24 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK662R7-55C_15	文件：191.22 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：191.22 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK662R7-55C	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK662R7-55C - N-channel TrenchMOS intermediate level FET N-channel TrenchMOS intermediate level FET - Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance ·AEC Q101 compliant\n·Suitable for intermediate level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package version：
SOT404
Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
55
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
2.7
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
3.8
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
4.4
I_D [max] (A)：
120
Q_GD [typ] (nC)：
75
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
258
P_tot [max] (W)：
306
Q_r [typ] (nC)：
176
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
11430
C_oss [typ] (pF)：
1100
Date：
2010-09-24

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