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BUK6210-55C	文件：934.74 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：934.74 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6210-55C_15	文件：383.78 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：383.78 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK6210-55C	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK6210-55C - N-channel TrenchMOS intermediate level FET N-channel TrenchMOS intermediate level FET - Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance ·AEC Q101 compliant\n·Suitable for standard and logic level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia
BX6210	文件：74.09 Kbytes Page：1 Pages	RF AMPLIFIER MODEL 文件：74.09 Kbytes 页数：1 Pages	APITECH	APITECH
CM6210	文件：375.61 Kbytes Page：18 Pages	Multi-channel USB-I2S Audio Controller 文件：375.61 Kbytes 页数：18 Pages	CMEDIA 骅讯电子	CMEDIA
CPCI-6210	文件：549.9 Kbytes Page：2 Pages	Remote management support 文件：549.9 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Package version：
SOT428
Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
55
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
9.6
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
13.2
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
14.5
I_D [max] (A)：
78
Q_GD [typ] (nC)：
19.5
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
63
P_tot [max] (W)：
128
Q_r [typ] (nC)：
88
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
2990
C_oss [typ] (pF)：
290
Date：
2010-10-11

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更多BUK6210供应商更新时间2025-11-4 10:20:00

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