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BUJD203A	文件：341.3 Kbytes Page：14 Pages	NPN power transistor with integrated diode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT78(TO220AB)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Fastswitching ■Highvoltagecapability ■Integratedanti-parallelE-Cdiode ■Verylowswitch	恩XP	恩XP
BUJD203A	文件：1.06409 Mbytes Page：13 Pages	NPN power transistor with integrated diode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT78(TO220AB)plasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Highvoltagecapability •Integratedanti-parallelE-Cdiode •Verylowswitch	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司
BUJD203AD	文件：300.02 Kbytes Page：13 Pages	NPN power transistor with integrated diode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT428(DPAK)surface-mountableplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Highvoltagecapability •Integratedanti-parallelE-Cdiode •	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司
BUJD203AD	文件：300 bytes Page：1 Pages	High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT428 (DPAK) surface-mountable plastic package.\n; • Fast switching\n• High voltage capability\n• Integrated anti-parallel E-C diode\n• Surface mountable package\n• Very low switching and conduction losses\n;	WeEnWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司
BUJD203AX	文件：784.69 Kbytes Page：13 Pages	NPN power transistor with integrated diode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT186A(TO220F)fullpackplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Highvoltagecapability •Integratedanti-parallelE-Cdiode •Isol	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司
BUJD203A_15	文件：341.3 Kbytes Page：14 Pages	NPN power transistor with integrated diode	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUJD203AD_15	文件：223.01 Kbytes Page：15 Pages	NPN power transistor with integrated diode	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUJD203AX	文件：209.36 Kbytes Page：14 Pages	NPN power transistor with integrated diode	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUJD203AX_15	文件：209.36 Kbytes Page：14 Pages	NPN power transistor with integrated diode	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUJD203A,127	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 425V 4A TO220AB	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

技术参数

Package name：
DPAK
Size：
6.0 x 6.6 x 2.3
Product status：
Production
IC [max]：
4
VCESM [max]：
850
VCEO [max]：
425
Ptot [max]：
80
hFE [typ]：
15
@ IC：
1
tf [max]：
120

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