BU808DF 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 STMICROELECTRONICS/意法半导体

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1+	面议

厂家型号：
BU808DF
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
生产厂商：
ST/意法
库存数量：
3310
产品封装：
NA/
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-1 23:00:00

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详细信息
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原厂料号：BU808DF品牌：ST/意法

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BU808DF是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ST/意法/STMicroelectronics生产封装NA//ISOWATT-218-3的BU808DF晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
BU808DFH
规格书：
下载下载2
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体集团
内容页数：
7 页
文件大小：
222.34 kb
资料说明：
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR

产品属性

类型
描述
产品编号：
BU808DFI
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
400µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
ISOWATT-218-3
供应商器件封装：
ISOWATT-218
描述：
TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218

供应商

企业：
深圳市得捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
肖先生
手机：
19076157484
询价：
电话：
0755-82538261
传真：
0755-82539558
地址：
深圳市福田区福田街道福虹路9号世贸广场A座5层

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BU808DF

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