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BTS7710G集成电路(IC)的全半桥驱动器规格书PDF中文资料

BTS7710G
厂商型号

BTS7710G

参数属性

BTS7710G 封装/外壳为TO-263-18(15 引线 + 3 接片);包装为管件;类别为集成电路(IC)的全半桥驱动器;BTS7710G应用范围:DC 电机,通用;产品描述:IC SW TRILITHIC 110MOHM TO263-15

功能描述

TrilithIC
IC SW TRILITHIC 110MOHM TO263-15

封装外壳

TO-263-18(15 引线 + 3 接片)

文件大小

234.96 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 17:24:00

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BTS7710G规格书详情

BTS7710G属于集成电路(IC)的全半桥驱动器。由英飞凌科技股份公司制造生产的BTS7710G全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列,包含两个或多个功率晶体管,以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接(称为半桥),因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件(如微控制器)提供的低电平信号转换为操作执行器(如步进电机或无刷电机)所需的较大功率信号。

Description

The BTS 7710 G is part of the TrilithIC family containing three dies in one package: One double high-side switch and two low-side switches. The drains of these three vertical DMOS chips are mounted on separated leadframes. The sources are connected to individual pins, so the BTS 7710 G can be used in H-bridge- as well as in any other configuration. The double high-side is manufactured in SMART SIPMOS® technology which combines low RDS ON vertical DMOS power stages with CMOS control circuitry.

Features

• Quad D-MOS switch driver

• Free configurable as bridge or quad-switch

• Optimized for DC motor management applications

• Low RDS ON: 70 mτ high-side switch, 40 mτ low-side switch (typical values @ 25 °C)

• Maximum peak current: typ. 15 A @ 25 °C

• Very low quiescent current: typ. 5 μA @ 25 °C

• Small outline, enhanced power P-DSO-package

• Load and GND-short-circuit-protection

• Operates up to 40 V

• Status flag diagnosis

• Overtemperature shut down with hysteresis

• Internal clamp diodes

• Isolated sources for external current sensing

• Under-voltage detection with hysteresis

• PWM frequencies up to 50 kHz

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BTS7710GPNTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 全半桥驱动器

  • 系列:

    TrilithIC™

  • 包装:

    管件

  • 输出配置:

    半桥(2)

  • 应用:

    DC 电机,通用

  • 接口:

    逻辑

  • 负载类型:

    电感

  • 技术:

    DMOS

  • 导通电阻(典型值):

    40 毫欧 LS,70 毫欧 HS

  • 电流 - 峰值输出:

    15A

  • 电压 - 供电:

    1.8V ~ 42V

  • 电压 - 负载:

    1.8V ~ 42V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 特性:

    状态标志

  • 故障保护:

    ESD,超温,短路,UVLO

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-18(15 引线 + 3 接片)

  • 供应商器件封装:

    PG-TO263-15-1

  • 描述:

    IC SW TRILITHIC 110MOHM TO263-15

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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