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BTS650P	文件：309.99 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside High Current Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, current controlled input and diagnostic feedback with load current sense, integrated in Smart SIPMOS® chip on chip technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Shor 文件：309.99 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS650P	文件：187.97 Kbytes Page：16 Pages	Smart Highside High Current Power Switch (Overload protection Current limitation Short circuit protection Overtemperature protection) General Description N channel vertical power FET with charge pump, current controlled input and diagnostic feedback with load current sense, integrated in Smart SIPMOS® chip on chip technology. Fully protected by embedded protection functions. Features • Overload protection • Current limitatio 文件：187.97 Kbytes 页数：16 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BTS650P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Smart Highside High Current Power Switch (Overload protection Current limitation Short circuit protection Overtemperature protection)	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS650P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-7；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO220-7	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
BTS650P
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
PROFET®
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
5V ~ 34V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
55A
导通电阻（典型值）：
4.4 毫欧
输入类型：
非反相
特性：
带有自动重启功能
故障保护：
限流（固定），开路负载检测，超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
P-TO220-7-3
封装/外壳：
TO-220-7
描述：
IC PWR SWITCH N-CHAN 1

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更多BTS650P供应商更新时间2025-10-4 9:38:00

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