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BTS3035EJ | 汽车级智能低边开关 | HITFET™ BTS3035EJ 是一款 35mΩ 智能单通道低边电源开关,采用 PG-TDSO8-31 封装,提供嵌入式保护功能。功率晶体管由 N 通道垂直功率 MOSFET 构成。该设备是单片集成的。BTS3035EJ 符合汽车标准,针对 12 V 汽车应用进行了优化。 • 单通道设备\n• 关断状态下,输出漏电流极低\n• 静电放电保护(ESD)\n• 嵌入式保护功能(参见下文)\n• 封装符合 ELV\n• 环保产品(符合 RoHS)\n• AEC 认证\n\n优势:; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
BTS3035EJ | 丝印:S3035EJ;Package:PG-TDSO8-31;Smart Low-Side Power Switch 文件:1.28202 Mbytes 页数:45 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Smart Low-Side Power Switch 文件:1.17687 Mbytes 页数:39 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
RF AMPLIFIER MODEL 文件:36.48 Kbytes 页数:1 Pages | APITECH | APITECH | ||
Ultra-High-Gain Wide-Band Amplifier Array Ultra-High-Gain Wide-Band Amplifier Array 文件:228.7 Kbytes 页数:3 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | ETC1 |
技术参数
- VDS max:
40.0V
- IL :
5.0A
- RDS (on)(@ Tj = 25°C) :
30.0mΩ
- IL(LIM) min:
20.0A
- ton max:
115.0µs
- toff max:
210.0µs
- Operating Temperature min max:
-40.0°C 150.0°C
- Mounting :
SMT
- Family :
HITFET+
- ID :
5.0A
- ID(lim) min:
20.0A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TDSO-8-31 |
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