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BZXSSC110	文件：102.99 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES SiliconPlanarZenerDiodes TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.OthervoltagetolerancesandhigherZenervoltagesonrequest.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C-110	文件：1.75238 Mbytes Page：12 Pages	QuickStartGuideC-110AccessPoint	ARISTA Arista Networks, Inc	ARISTA
CAPA110	文件：237.47 Kbytes Page：1 Pages	AMDA50MFCH	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯科技艾讯股份有限公司	AXIOMTEK
CBPS110A	文件：500.37 Kbytes Page：1 Pages	PUSHSPACERSUPPORTPOSTS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
CBRLD110	文件：1.53466 Mbytes Page：2 Pages	Lowprofilepackage	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CC110L	文件：1.53763 Mbytes Page：83 Pages	ValueLineTransceiver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CC110L	文件：1.72612 Mbytes Page：85 Pages	ValueLineTransceiver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CC110L	文件：857.77 Kbytes Page：25 Pages	SWRU197H?밪eptember2010?밨evisedApril2014	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CC110LRGPR	文件：1.82106 Mbytes Page：84 Pages	ValueLineTransceiver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CC110LRGPT	文件：1.82106 Mbytes Page：84 Pages	ValueLineTransceiver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
BTS110
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V TEMPFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BTS110供应商更新时间2025-7-19 15:56:00

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