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BSV236SP	文件：80.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS -P Small-Signal-Transistor 文件：80.22 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSV236SP	文件：392.77 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-P Small-Signal-Transistor 文件：392.77 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSV236SP_06	文件：392.77 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-P Small-Signal-Transistor 文件：392.77 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSV236SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-20 V，SOT-363 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

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深圳市鹏和科技有限公司	BSV236SP	I	24+	SOT-363	5000	全现原装公司现货	询价

更多BSV236SP供应商更新时间2025-10-4 9:38:00