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BSR17	文件：62 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistor DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complement: BSR18A. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching and linear amplification. 文件：62 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSR17	文件：83.64 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23. 文件：83.64 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BSR17A	文件：83.64 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23. 文件：83.64 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BSR17A	文件：62 Kbytes Page：8 Pages	丝印：U92；Package：SOT-23；NPN switching transistor DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complement: BSR18A. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching and linear amplification. 文件：62 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSR17A	文件：145.32 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SOT-23 Formed SMD Package N–P–N silicon transistor 文件：145.32 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BSR17A	文件：181.78 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Switching Transistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：181.78 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BSR17A	文件：45.38 Kbytes Page：2 Pages	NPN Switching Transistors Features ● High current (max. 100 mA). ● Low voltage (max. 40 V). 文件：45.38 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSR17A_07	文件：365.11 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Amplifier 文件：365.11 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BSR17	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN switching transistor DESCRIPTION\nNPN switching transistor in a SOT23 plastic package.\nPNP complement: BSR18A.FEATURES\n• Low current (max. 100 mA)\n• Low voltage (max. 40 V).APPLICATIONS\n• Switching and linear amplification. • Low current (max. 100 mA)\n• Low voltage (max. 40 V).;	恩XP	恩XP
BSR17	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.2
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.65
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
300
PTM Max (W)：
0.35
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSR17供应商更新时间2025-11-19 15:38:00

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