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| 1+ |
- 厂家型号：
BSM200GAR120DN2
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
原厂
- 库存数量：
600
- 产品封装：
模块
- 生产批号：
2023+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-10-31 17:12:00
BSM200GAR120DN2_原厂_IGBT 模块 1200V 200A GAR CH华富测量
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号：BSM200GAR120DN2品牌：原厂
专营模块,继电器,公司原装现货
- 芯片型号：
BSM200GAR120DN2
- 规格书：
- 资料说明：
IGBT 模块 1200V 200A GAR CH
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
BSM200GAR120DN2
- 功能描述：
IGBT 模块 1200V 200A GAR CH
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
供应商
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