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BSM200GAR120DN2_INFINEON/英飞凌_IGBT 模块 1200V 200A GAR CH浙江永芯
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号：
BSM200GAR120DN2
- 功能描述：
IGBT 模块 1200V 200A GAR CH
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
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