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BSM15GD120DN2	文件：249.4 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate	eupeceupec GmbH 欧派克
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BSM15GD120DN2E3224	文件：257.154 Kbytes Page：9 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM15GD120DN2E3224	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSM15GD120DN2E3224BDLA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 1200V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSM15GD120DN2E3224BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 25A 145W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSM15GD120DN2E3224BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
15GD120DN2	文件：249.4 Kbytes Page：9 Pages	IGBTPowerModule •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate	eupeceupec GmbH 欧派克

详细参数

型号：
BSM15GD120DN2
功能描述：
IGBT 模块 1200V 15A 3-PHASE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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