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BSM15GD120DN2	文件：249.4 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate 文件：249.4 Kbytes 页数：9 Pages	eupec	eupec
BSM15GD120DN2	文件：257.154 Kbytes Page：9 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM15GD120DN2 文件：257.154 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM15GD120DN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT Power Module	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM15GD120DN2E3224	文件：249.4 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate 文件：249.4 Kbytes 页数：9 Pages	eupec	eupec
BSM15GD120DN2E3224	文件：257.154 Kbytes Page：9 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM15GD120DN2E3224 文件：257.154 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
BSM15GD120DN2E3224BDLA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 1200V	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM15GD120DN2E3224BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 25A 145W	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM15GD120DN2E3224BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
BSM15GD120DN2
功能描述：
IGBT 模块 1200V 15A 3-PHASE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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