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BSC500N20NS3G
厂商型号

BSC500N20NS3G

功能描述

OptiMOSTM3 Power-Transistor

文件大小

580.52 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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BSC500N20NS3G规格书详情

特性 Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance RDS(on)

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

产品属性

  • 型号:

    BSC500N20NS3G

  • 功能描述:

    MOSFET MV POWER MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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