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BRL2N60	文件：961.15 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-126 Plastic Package	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2N60	文件：142.66 Kbytes Page：8 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N60	文件：573.06 Kbytes Page：5 Pages	N2Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET Description TheET2N60N-CeannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. Features ●RDS(ON)=5.00Ω@VGS=10V ●Lowgatecharge	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd
2N60	文件：224.53 Kbytes Page：6 Pages	2Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET TheUTC2N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowerupplies,PWM	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N60	文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
2N60	文件：1.3597 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
2N60	文件：1.34734 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
2N60	文件：1.40358 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
2N60	文件：1.3527 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
2N60	文件：1.34768 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
2N60	文件：1.78132 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON)	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司
2N60	文件：1.99345 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2N60	文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages	2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N60	文件：201.04 Kbytes Page：2 Pages	2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●2A,600V,RDS(ON)=4Ω@VGS=10V/1A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
2N60	文件：2.84594 Mbytes Page：3 Pages	TO-251Plastic-EncapsulateMOSFET N-ChannelMOSFET Features ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ●IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司
2N60	文件：450.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFET DESCRIPTION 2N602N65isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowersu	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
2N60	文件：391.03 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNell2N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof2A,fastswitchi	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
2N60	文件：157.55 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •Draincurrent:ID=2A@TC=25℃ •Drainsourcevoltage:VDSS=600V(Min) •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)=5.0Ω(Max) •Fastswitching •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •Switch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2N60	文件：316.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2N60	文件：389.73 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

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更多BRL2N60供应商更新时间2024-4-27 14:04:00

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