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CC1010PAGR	文件：1.2835 Mbytes Page：149 Pages	SingleChipVeryLowPowerRFTransceiverwith8051-CompatibleMicrocontroller	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CC1010R	文件：1.30395 Mbytes Page：133 Pages	SingleChipVeryLowPowerRFTransceiverwith8051-CompatibleMicrocontroller [Chipcon] ProductDescription TheCC1010isatruesingle-chipUHFtransceiverwithanintegratedhighperformance8051microcontrollerwith32kBofFlashprogrammemory.TheRFtransceivercanbeprogrammedforoperationinthe300–1000MHzrange,andisdesignedforverylowpowerwireles	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
CC1010SK	文件：1.3851 Mbytes Page：152 Pages	SingleChipVeryLowPowerRFTransceiverwith8051-CompatibleMicrocontroller	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CC1010SK	文件：1.30395 Mbytes Page：133 Pages	SingleChipVeryLowPowerRFTransceiverwith8051-CompatibleMicrocontroller [Chipcon] ProductDescription TheCC1010isatruesingle-chipUHFtransceiverwithanintegratedhighperformance8051microcontrollerwith32kBofFlashprogrammemory.TheRFtransceivercanbeprogrammedforoperationinthe300–1000MHzrange,andisdesignedforverylowpowerwireles	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
CC1010SKROHS	文件：1.3851 Mbytes Page：152 Pages	SingleChipVeryLowPowerRFTransceiverwith8051-CompatibleMicrocontroller	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CC1010T	文件：1.30395 Mbytes Page：133 Pages	SingleChipVeryLowPowerRFTransceiverwith8051-CompatibleMicrocontroller [Chipcon] ProductDescription TheCC1010isatruesingle-chipUHFtransceiverwithanintegratedhighperformance8051microcontrollerwith32kBofFlashprogrammemory.TheRFtransceivercanbeprogrammedforoperationinthe300–1000MHzrange,andisdesignedforverylowpowerwireles	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
CDEPI1010	文件：159.36 Kbytes Page：2 Pages	PowerInductors	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
CED1010AL	文件：440.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,63A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1010L	文件：939.61 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,63A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM1010	文件：439.58 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,9.5A,RDS(ON)=15.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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详细参数

型号：
BR-W1010
制造商：
HY
制造商全称：
HY ELECTRONIC CORP.
功能描述：
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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