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CED3120	文件：893.88 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,36A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3120	文件：628.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,36A,RDS(ON)=15mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=22mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3120	文件：864.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3120	文件：879.43 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEP3120	文件：949.15 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●30V,40A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●Leadfreeproductisacquired. ●TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU3120	文件：893.88 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,36A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU3120	文件：415.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU3120	文件：628.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,36A,RDS(ON)=15mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=22mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHM3120JPT	文件：304.1 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT10Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchin	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHM3120PAPT	文件：511.66 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT36Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	BPDV3120R-VF-FA	FINISAR	20+	传感器	16	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市福田区亿兴成电子商行	BPE			QFN	5000		询价
深圳市创新迹电子有限公司	BPE	TI/德州仪器	22+	QFN	25000	只做原装,原装,假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	BPE	TI	2450+	DFN16	6540	只做原厂原装正品终端客户免费申请样品	询价
上海金庆电子技术有限公司	BPE-10-1.5-2	UNIVERSAL	新		1	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	BPE2E		2022+		52	全新原装货期两周	询价
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深圳市易讯博科技有限公司	BPE2E	Hammond	22+	NA	155	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	BPE2G	原厂	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	BPE34S-Z	OSRAM/欧司朗	24+	TTT167	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价

更多BPDV3120RQ-VM-FP供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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