闭环可控硅调光 LED 驱动芯片

BP3258是一款高效率支持可控硅调光的LED驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于Buck-Boost，Fly-back结构的LED驱动电源。\r\n\r\n BP3258采用专利的驱动和电流检测方式，芯片的工作电流极低，只需要很少的外围元件，即可实现优异的恒流特性，极大的节约了系统成本和体积。\r\n\r\n BP3258具有多重保护功能，包括LED开路保护，LED短路保护，CS电阻短路保护，欠压保护，芯片温度过热调节等。\r\n\r\n BP3258采用SOP-8封装。 • 支持可控硅调光\r\n• 闭环恒流控制\r\n• 内置 THD 补偿\r\n• 电感电流临界连续模式\r\n• 芯片超低工作电流\r\n• ±5% LED 输出电流精度\r\n• LED 开路保护\r\n• LED 短路保护\r\n• CS 电阻短路保护\r\n• 芯片供电欠压保护\r\n• RTH 设定过热调节功能\r\n• 采用 SOP-8 封装\r;

BPS

晶丰明源

Silicon NPN Power Transistors

文件：151.75 Kbytes 页数：4 Pages

SAVANTIC

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 7A, RDS(ON) = 28mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 40mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ Surface mount Package.

文件：305.92 Kbytes 页数：4 Pages

CET

华瑞

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 30V, 7A, RDS(ON) = 28mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Lead free product is acquired.

文件：1.12785 Mbytes 页数：4 Pages

CET-MOS

华瑞