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BSS123	文件：56.92 Kbytes Page：4 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. TheBSS123issuppliedintheSOT23subminiaturesurfacemountingpackage. FEATURES •’Trench’technology •Extremelyfastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiatur	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS123	文件：45.09 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET SOT23N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS123	文件：133.21 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSS123	文件：284.54 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123	文件：67.74 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingDIODESproprietary,highdensity,usesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperform	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123	文件：77.44 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor SIPMOS®Small-Signal-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：145.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123	文件：98.79 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFETN-Channel Features: LowOn-Resistance:6.0Ω LowInputCapacitance:20PF LowOutputCapacitance:9PF LowThreshole:2.8V FastSwitchingSpeed:20ns Application: DCtoDCConverter Cellular&PCMCIACard CordlessTelephone *PowerManagementinPortableandBatteryetc.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BSS123	文件：367.31 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123	文件：128.61 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
BOT123
制造商：
BOT
制造商全称：
Bedford Opto Technology Ltd.
功能描述：
3 Way 2 Tier 3mm LED Array

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	BOT123	BOT	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
惠芯易购（深圳）科技有限公司	BOT24075C1	智达	25+	2012.55mm	4258	原装正品价格优势	询价
深圳市胜彬电子有限公司	BOTBZ0502SA	SAMSUNG	22+	QFN	8000	原装正品支持实单	询价
上海市鑫鸿达电子	BOTOBO-28P	SUNGKYUNG	2022+		1600	全新原装货期两周	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	BOTOBO-28P	SUNGKYUNG	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳良洲科技有限公司	BOTTONMYLARSAF1510I-0719-VSA	JIU YAN INDUSTRY CO LTD	两年内	NA	765	实单价格可谈	询价
深圳市博浩通科技有限公司	BOU	NO	23+	-3	1050	优势库存	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	BOU4816P-001-330	BOURNS	24+	CSOP16	20000	全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BOU4816P-001-330	BOURNS/伯恩斯	23+	CSOP16	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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