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BLF7G20LS-90P分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BLF7G20LS-90P
厂商型号

BLF7G20LS-90P

参数属性

BLF7G20LS-90P 封装/外壳为SOT-1121B;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B

功能描述

RF Manual 16th edition

封装外壳

SOT-1121B

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:00:00

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BLF7G20LS-90P规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

产品属性

  • 产品编号:

    BLF7G20LS-90P,118

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双),共源

  • 频率:

    1.81GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    19.5dB

  • 额定电流(安培):

    18A

  • 功率 - 输出:

    40W

  • 封装/外壳:

    SOT-1121B

  • 供应商器件封装:

    LDMOST

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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