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BLF7G20LS-90P分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BLF7G20LS-90P |
参数属性 | BLF7G20LS-90P 封装/外壳为SOT-1121B;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
封装外壳 | SOT-1121B |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
页面数量 |
130 页 |
生产厂商 | 未知制造商 |
企业简称 |
恩XP |
中文名称 | 未知制造商 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-2 23:00:00 |
人工找货 | BLF7G20LS-90P价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BLF7G20LS-90P规格书详情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
产品属性
- 产品编号:
BLF7G20LS-90P,118
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS(双),共源
- 频率:
1.81GHz ~ 1.88GHz
- 增益:
19.5dB
- 额定电流(安培):
18A
- 功率 - 输出:
40W
- 封装/外壳:
SOT-1121B
- 供应商器件封装:
LDMOST
- 描述:
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
15798 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
24 |
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恩XP |
2016+ |
SOT502 |
3900 |
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恩XP |
25+ |
SMD |
54658 |
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恩XP |
20+ |
高频管 |
29516 |
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恩XP |
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/ |
2 |
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恩XP |
24+ |
ACC-4L |
12000 |
原装正品 有挂就有货 |
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22+ |
5000 |
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恩XP |
NA |
5500 |
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恩XP |
18+ |
SOT1121B |
12500 |
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询价 |