BLF6G10-135RN 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 恩XP

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原厂料号:BLF6G10-135RN品牌:恩XP

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BLF6G10-135RN是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商恩XP/Ampleon USA Inc.生产封装SMD/SOT-502A的BLF6G10-135RN晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    BLF6G10-135RN

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 内容页数:

    130 页

  • 文件大小:

    9375.07 kb

  • 资料说明:

    RF Manual 16th edition

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    BLF6G10-135RN,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    871.5MHz ~ 891.5MHz

  • 增益:

    21dB

  • 额定电流(安培):

    32A

  • 功率 - 输出:

    26.5W

  • 封装/外壳:

    SOT-502A

  • 供应商器件封装:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A

供应商

  • 企业:

    千层芯半导体(深圳)有限公司

  • 商铺:

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    罗先生,张先生,吴小姐

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