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BLF645	文件：173.12 Kbytes Page：13 Pages	Broadband power LDMOS transistor Generaldescription A100WLDMOSRFpowerpush-pulltransistorforbroadcasttransmitterandindustrialapplications.ThetransistorissuitableforthefrequencyrangeHFto1400MHz.Theexcellentruggednessandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealfordigitalapplications.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BLF645	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BLF645	文件：1.02295 Mbytes Page：14 Pages	Broadband power LDMOS transistor Generaldescription A100WLDMOSRFpowerpush-pulltransistorforbroadcasttransmitterandindustrial applications.ThetransistorissuitableforthefrequencyrangeHFto1400MHz.The excellentruggednessandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealfordigital applications.	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司
BLF645_15	文件：173.12 Kbytes Page：13 Pages	Broadband power LDMOS transistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BLF645,112	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-540A 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司
645H	文件：662.87 Kbytes Page：7 Pages	VeryLowJitterHCSLClock	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
645H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
AD645	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD645A	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD645AH	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD645B	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD645BH	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD645C	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
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AD645JN	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD645K	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD645KN	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD645S	文件：439.62 Kbytes Page：8 Pages	LowNoise,LowDriftFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD645isalownoise,precisionFETinputopamp.ItoffersthepicoamplevelinputcurrentsofaFETinputdevicecoupledwithoffsetdriftandinputvoltagenoisecomparabletoahighperformancebipolarinputamplifier. FEATURES ImprovedReplacementforBurr-Brow	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADXRS645	文件：323.49 Kbytes Page：10 Pages	HighTemperature,VibrationRejectingplus,minus2000temperature/secGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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详细参数

型号：
BLF645
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
LDMOSRF100WHF-1300MHZ32V
功能描述：
LDMOS,RF,100W,HF-1300MHZ,32V
功能描述：
LDMOS,RF,100W,HF-1300MHZ,32V; Transistor
Type：
RF MOSFET; Drain Source Voltage
Vds：
65V; Continuous Drain Current
Id：
32A; Operating Frequency
Min：
108MHz; Operating Frequency
Max：
225MHz; RF Transistor
Case：
SOT-540A; No. of
Pins：
4 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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