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BL2N60I

2A, 600V, 2.5W, N Channel,Power MOSFETs

Galaxy

银河微电

BLV2N60

BLV2N60

文件:68.8 Kbytes 页数:2 Pages

Belling

上海贝岭

BLV2N60

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:403.4 Kbytes 页数:6 Pages

ESTEK

伊泰克电子

BR2N60

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:865.13 Kbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

技术参数

  • AEC Qualified:

    NO

  • Pb Free:

    YES

  • Halide free:

    YES

  • Reach:

    YES

  • RoHS:

    YES

  • Marketing Status:

    Active

  • Configuration:

    Single

  • Channel Polarity:

    N

  • ESD:

    N

  • TJ(°C)max.:

    150

  • TJ(°C)min.:

    -55

  • PD(W)Max.:

    2.5

  • V(BR)DSS(V)Min.:

    600

  • VGS(V)Max.:

    ±30

  • ID(A)Max.:

    2

  • IGSS(uA)Max.:

    ±0.1

  • VGS(th)(V)Max.:

    4

  • RDS(on)(mΩ)@10VTyp.:

    3800

  • RDS(on)(mΩ)@10VMax.:

    5000

  • ECCN(US):

    EAR99

  • Category:

    平面高压MOS

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更多BL2N60I供应商 更新时间2025-10-31 11:10:00