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BPS250	文件：55.34 Kbytes Page：2 Pages	Coded-MagnetSensors Description TheSeriesBNS250coded-magnetsensorsaredesignedforuseasasafetyinterlockswitchonmovablemachineguards/articulatingrobotarms.Eachsensorsetconsistsofamultiplereedswitchunitandacoded-magnetactuator.Thereedswitches,wiredinseries,willonlycloseinthe	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BR250	文件：175.39 Kbytes Page：1 Pages	VideoBorescope/WirelessInspectionCamera	EXTECH Extech Instruments Corporation.	EXTECH
BR250	文件：1.32425 Mbytes Page：28 Pages	Cutler-Hammer Features,Benefits andFunctions n BothBRandCHtypebranchcircuit breakerstylesavailable. n MeetslatestNECwirebending spacerequirements. n Slottedsealingscrewsathubwith sealingprovisionprovided. n Surfaceunitsaresuppliedwith mountingtabs. n Semi-flushunitsar	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
BR250SUR	文件：476.65 Kbytes Page：2 Pages	BRSurgeBreaker Features&Benefits: •Completehomesurge protectionforallcircuitsplus afunctional2-polethermal magneticbreaker •Directconnectiontothe busbarprovidessuperior protectionandeasyinstallation fornewconstructionor renovation •MeetsbothUL489aswell asUL14493rdEdi	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
BR250SURA	文件：476.65 Kbytes Page：2 Pages	BRSurgeBreaker Features&Benefits: •Completehomesurge protectionforallcircuitsplus afunctional2-polethermal magneticbreaker •Directconnectiontothe busbarprovidessuperior protectionandeasyinstallation fornewconstructionor renovation •MeetsbothUL489aswell asUL14493rdEdi	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
BS250	文件：50 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinTO-92variantenvelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES •LowRDS(on) •DirectinterfacetoC-MOS •High-speedswitching •Nosecondbreakdown	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS250	文件：62.31 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEDMOSTRANSISTOR Features ●HighInputImpedance ●FastSwitchingSpeed ●CMOSLogicCompatibleInput ●NoThermalRunawayorSecondaryBreakdown	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BS250	文件：62.88 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •High-SideSwitching •LowOn-Resistance:8 •LowThreshold:−1.9V •FastSwitchingSpeed:16ns •LowInputCapacitance:15pF BENEFITS •EaseinDrivingSwitches •LowOffset(Error)Voltage •Low-VoltageOperation •High-SpeedSwitching •EasilyDrivenWithoutBuffer AP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BS250	文件：273.95 Kbytes Page：5 Pages	DMOSTransistor(P-Channel)	GE GE Industrial Company	GE
BS250	文件：239.4 Kbytes Page：5 Pages	DMOSTransistors(P-Channel) FEATURES ♦Highinputimpedance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company	GE

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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