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BFU725F/N1,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-343 反向插针类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFU725F/N1	文件：80.92 Kbytes Page：11 Pages	NPNwidebandsilicongermaniumRFtransistor Generaldescription NPNsilicongermaniummicrowavetransistorforhighspeed,lownoiseapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Fpackage. Features ■Lownoisehighgainmicrowavetransistor ■Noisefigure(NF)=0.7dBat5.8GHz ■Highmaximumstablegain27dBat1.8GHz ■11	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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BFU725F/N1,115

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-343 反向插针类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO

nxpNXP Semiconductors

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nxp

BFU725F/N1

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NPNwidebandsilicongermaniumRFtransistor

Generaldescription NPNsilicongermaniummicrowavetransistorforhighspeed,lownoiseapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Fpackage. Features ■Lownoisehighgainmicrowavetransistor ■Noisefigure(NF)=0.7dBat5.8GHz ■Highmaximumstablegain27dBat1.8GHz ■11

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

产品属性

产品编号：
BFU725F/N1,115
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
2.8V
频率 - 跃迁：
55GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
增益：
10dB ~ 24dB
功率 - 最大值：
136mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
40mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343 反向插针
供应商器件封装：
4-SO
描述：
RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO

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更多BFU725F/N1,115供应商更新时间2024-5-2 8:28:00

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