BFR183W 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

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1+	0.001

厂家型号：
BFR183W
产品分类：
芯片
生产厂商：
Infineon(英飞凌)
库存数量：
500000
产品封装：
封装
生产批号：
25+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-1 15:01:00

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详细信息
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原厂料号：BFR183W品牌：Infineon(英飞凌)

源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

BFR183W是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商Infineon(英飞凌)/Infineon Technologies生产封装封装/SC-70，SOT-323的BFR183W晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFR183W
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
内容页数：
7 页
文件大小：
79.84 kb
资料说明：
NPN Silicon RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFR183WH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益：
18.5dB
功率 - 最大值：
450mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 15mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
PG-SOT323
描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

供应商

企业：
万三科技(深圳)有限公司
商铺：
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联系人：
阮海燕
手机：
13530233832
询价：
电话：
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传真：
0755-28193459
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深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609

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BFR183W

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