BFP196W 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
BFP196W
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
21000
产品封装：
SOT343R
生产批号：
23+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2024-4-19 17:39:00

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详细信息
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原厂料号：BFP196W品牌：INFINEON

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BFP196W是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装SOT343R/SC-82A，SOT-343的BFP196W晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFP196W
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
内容页数：
7 页
文件大小：
79.27 kb
资料说明：
NPN Silicon RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFP196WNH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.3dB @ 900MHz
增益：
9.7dB
功率 - 最大值：
700mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 50mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
供应商器件封装：
PG-SOT343-4
描述：
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4

供应商

企业：
深圳市博浩通科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
罗小姐/王先生
手机：
19166251668
询价：
电话：
0755-82819109/83242993
传真：
0755-82818458
地址：
国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室

BFP196W 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

BFP196W

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