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NPNSiliconRFTransistor(ForlowcurrentapplicationsForoscillatorsupto12GHz) NPNSiliconRFTransistor •Forlowcurrentapplications •Foroscillatorsupto12GHz •NoisefigureF=1.15dBat1.8GHz outstandingGms=22dBat1.8GHz •TransitionfrequencyfT=25GHz •Goldmetalizationforhighreliability •SIEGET®25-Line SiemensGroundedEmitterTr | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlowcurrentapplications •Foroscillatorsupto12GHz •MinimumnoisefigureNFmin=1.25dBat1.8GHz OutstandingGms=23dBat1.8GHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackage withvisibleleads •Qualificationreportacco | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlowcurrentapplications •MinimumnoisefigureNFmin=1.25dBat1.8GHz OutstandingGms=22.5dBat1.8GHz •TransitionfrequencyfT=25GHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freethinsmall flatpackage(1.4x0.8x0.59mm)wit | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SINGLEDIGITLEDDISPLAYS SINGLEDIGITLEDDISPLAYS | YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司 | YSTONE | ||
SINGLEDIGITLEDDISPLAYS SINGLEDIGITLEDDISPLAYS | YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司 | YSTONE | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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