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EL851M(TD)-V	文件：461.21 Kbytes Page：13 Pages	4PINDIPHIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOR	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL851M(TU)-V	文件：461.21 Kbytes Page：13 Pages	4PINDIPHIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOR	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL851S(TA)-V	文件：461.21 Kbytes Page：13 Pages	4PINDIPHIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOR	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL851S(TB)-V	文件：461.21 Kbytes Page：13 Pages	4PINDIPHIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOR	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL851S(TD)-V	文件：461.21 Kbytes Page：13 Pages	4PINDIPHIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOR	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL851S(TU)-V	文件：461.21 Kbytes Page：13 Pages	4PINDIPHIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOR	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
EL851XZ-V	文件：674.16 Kbytes Page：13 Pages	4PINDIPHIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
ESD851	文件：1.09645 Mbytes Page：17 Pages	ESD85136VBidirectionalESDProtectionDiodeinSOD-323 1Features •IEC61000-4-2ESDprotection: –±30kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge •IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) •IOCapacitance:4.3pF(typical) •DCbreakdownvoltage:37.8V(minimum) •Ultralowleakagecurrent:	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
ESD851	文件：1.03331 Mbytes Page：18 Pages	ESD851-Q136VAutomotiveBidirectionalESDProtectionDiodeinSOD-323 1Features •ISO10605(330pF,330Ω)ESDprotection: –±27kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge •IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) •IOCapacitance:4.3pF(typical) •Ultralowleakagecurrent:10nA(maximum) •ESDclamping	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ESD851DYFR	文件：1.09645 Mbytes Page：17 Pages	ESD85136VBidirectionalESDProtectionDiodeinSOD-323 1Features •IEC61000-4-2ESDprotection: –±30kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge •IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) •IOCapacitance:4.3pF(typical) •DCbreakdownvoltage:37.8V(minimum) •Ultralowleakagecurrent:	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
BF851A/B/C
功能描述：
N-Channel Junction FETs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	BF851AC	ON	23+	TO-92	8531	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BF851AC	ON	23+	TO-92	8531	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市旺财半导体有限公司	BF851B	PH	23+		2800	正品原装货价格低	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	BF858	恩XP	24+	TO-202	5000	只做原装公司现货	询价
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更多BF851A/B/C供应商更新时间2025-7-20 15:01:00

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