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FMMT493	文件：144.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR Features ●BVCEO>100V ●IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ●ICM=2APeakPulseCurrent ●500mWPowerDissipation ●hFECharacterisedUpto2AforHighCurrentGainHoldUp ●ComplementaryPNPType:FMMT593 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●Haloge	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT493	文件：393.62 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementaryTypeFMMT593	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
FMMT493	文件：123.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT23NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT493	文件：36.32 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Mediumpowertransistor.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT493	文件：528.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlanarMediumPowerTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Powerdissipation:PCM=250mW(Tamb=25℃) •Collectorcurrent:Ic=1A •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FMMT493	文件：921.63 Kbytes Page：9 Pages	Low-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip ProductOverview HM4002isalow-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip,whichcanbematchedwithinfraredsensorunitSimpleloadsensingON/OFFanddelaytimingfunctioncontrol;atthesametime,thechipbuilt-inhigh-precisionstableLDO2.6VoutputcanprovideRedpower	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
FMMT493	文件：606.95 Kbytes Page：3 Pages	Lowequivalenton-resistance TRANSISTOR(NPN) FEATURES Lowequivalenton-resistance	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FMMT493	文件：1.81616 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT493	文件：1.60117 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT493	文件：211.44 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementaryTypeFMMT593	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

详细参数

型号：
BF493STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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