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FMMT493A	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERPLANARTRANSISTOR Description: This60VNPNtransistorprovidesuserswithperformancecombininglowsaturationandhighhFEwithacontinuouscurrentcapabilityof1A,ensuringimprovedcircuitefficiencies. Features Lowsaturationvoltage HighhFEmin300@250mA IC=1A Applications	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT493A	文件：146.46 Kbytes Page：6 Pages	SOT2360VNPNSILICONPLANAR Feature •BVCEO>60V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •VCESAT=0.5V@1A •500mWPowerDissipation •LowSaturationVoltage •HighhFEMin300@250mA •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifiedto	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT493A	文件：457.57 Kbytes Page：7 Pages	120VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT493ATA	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERPLANARTRANSISTOR Description: This60VNPNtransistorprovidesuserswithperformancecombininglowsaturationandhighhFEwithacontinuouscurrentcapabilityof1A,ensuringimprovedcircuitefficiencies. Features Lowsaturationvoltage HighhFEmin300@250mA IC=1A Applications	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT493ATA	文件：457.57 Kbytes Page：7 Pages	120VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT493ATC	文件：163.23 Kbytes Page：6 Pages	60VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERPLANARTRANSISTOR Description: This60VNPNtransistorprovidesuserswithperformancecombininglowsaturationandhighhFEwithacontinuouscurrentcapabilityof1A,ensuringimprovedcircuitefficiencies. Features Lowsaturationvoltage HighhFEmin300@250mA IC=1A Applications	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT493-G	文件：157.02 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -ComplementarytypeFMMT593 -Lowsaturationvoltage -HighhFEMax.300@250mA -IC=1A	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
FMMT493QTA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT493QTA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features ●BVCEO>100V ●IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ●ICM=2APeakPulseCurrent ●500mWPowerDissipation ●hFECharacterisedUpto2AforHighCurrentGainHoldUp ●ComplementaryPNPType:FMMT593 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●Haloge	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT493TA	文件：385.27 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features ●BVCEO>100V ●IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ●ICM=2APeakPulseCurrent ●500mWPowerDissipation ●hFECharacterisedUpto2AforHighCurrentGainHoldUp ●ComplementaryPNPType:FMMT593 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●Haloge	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
BF493SPSTOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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