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BF244C	文件：26.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelRFAmplifier ThisdeviceisdesignedforRFamplifierandmixerapplicationsoperatingupto450MHz,andforanalogswitchingrequiringlowcapacitance.SourcedfromProcess50.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BF244C	文件：120.95 Kbytes Page：2 Pages	JFETPROELECTRONSERIES	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
BF244C	文件：213.66 Kbytes Page：4 Pages	PLASTIC-CASEJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelJFETs	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BF244C	文件：79.58 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelRFAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BF244C	文件：78.24 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelRFAmplifier ThisdeviceisdesignedforRFamplifierandmixerapplicationsoperatingupto450MHz,andforanalogswitchingrequiringlowcapacitance.SourcedfromProcess50.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BLF244	文件：91.97 Kbytes Page：12 Pages	VHFpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistordesignedforlargesignalamplifier applicationsintheVHFfrequencyrange. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Easypowercontrol •Goodthermalstability •Withstandsfullloadmismatc	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF244	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF244	文件：80.54 Kbytes Page：12 Pages	VHFpowerMOStransistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BTS244Z	文件：274.2 Kbytes Page：12 Pages	SpeedTEMPFET(N-ChannelEnhancementmodeLogicLevelInputPotential-freetemperaturesensorwiththyristorcharacteristics) N-Channel Enhancementmode LogicLevelInput Analogdrivingpossible Fastswitchingupto1MHz Potential-freetemperaturesensorwiththyristorcharacteristics Overtemperatureprotection Avalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS244Z	文件：421.55 Kbytes Page：14 Pages	SpeedTEMPFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BF244B_Q
功能描述：
射频JFET晶体管 N-Ch RF amplifier
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
N-Channel 正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
电阻汲极/源极
RDS（导通）：
漏源电压
VDS：
40 V
闸/源截止电压：
5 V
闸/源击穿电压：
40 V
最大漏极/栅极电压：
40 V 漏极电流（Vgs=0 时的
Idss）：
25 mA to 75 mA
功率耗散：
250 mW
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23
封装：
Reel

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更多BF244B_Q供应商更新时间2025-5-25 11:10:00

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