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BDP947	文件：528.94 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BDP947；Package：SOT223；Silicon NPN Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP948, BDP950, BDP954 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：528.94 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP947	文件：528.88 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BDP947；Package：SOT223；Silicon NPN Transistors 文件：528.88 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP947	文件：44.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Transistor Silicon NPN Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP948, BDP950, BDP954 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：44.75 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP947	文件：40.25 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) NPN Silicon AF Power Transistors • For AF drivers and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary type: BDP948, BDP950 (PNP) 文件：40.25 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BDP947	文件：524.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Transistors 文件：524.11 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP947	文件：300 bytes Page：1 Pages	AF 通用晶体管	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP947H6327XTSA1	文件：528.94 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP948, BDP950, BDP954 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：528.94 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP947_09	文件：524.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Transistors 文件：524.11 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP947_V01	文件：528.88 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Transistors 文件：528.88 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP947H6327XTSA1	文件：528.88 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Transistors 文件：528.88 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Polarity ：
NPN (Single)
VCEO max：
45.0V
Ptot max：
5000.0mW
hFE min max：
100.0 475.0
IC max：
3000.0mA
IC ：
3000.0mA
VCE ：
1.0V
VCBO max：
45.0V
VEBO max：
5.0V
ICM max：
5000.0mA
ICBO max：
100.0nA
fT ：
100.0MHz
VCE(sat) max：
0.5V
Mounting ：
SMT
IBM max：
500.0mA
Package ：
P-SOT223-4-10

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