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BDFN2C051V	文件：1.8472 Mbytes Page：4 Pages	丝印：21；Package：DFN1006；ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE Features Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 5V Low clamping voltage Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) – IEC61000-4-5 (Lightning) 4.5A (8/20μs) RoHS Compliant 文件：1.8472 Mbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BDFN2C051V	文件：300 bytes Page：1 Pages	TVS&ESD	BGSEMI	BGSEMI
BDFN2C051V	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BDFN2C051V45	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI

技术参数

Vbr.min(V)：
6
Cj.max(PF)：
10
Ppp(W)@8/20µS：
70
Ipp(A)@8/20µS：
4
Ir.max(µA)：
16
ESD Contact(kv)：
8
Package：
DFN1006-2L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市讯顺达科技有限公司	BDFN2C051V	BORN(伯恩半导体)	24+	DFN1006-2L	50000	品牌代理,价格优势,技术支持!!	询价
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更多BDFN2C051V供应商更新时间2025-10-5 14:02:00

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