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BD13810S

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BD13810STU

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Applications •ComplementtoBD135,BD137andBD139Respectively •ThesearePb−FreeDevices

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BD13810STU

包装:散装 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ACE13810B

DualAsymmetricN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description ⚫CPUcorepower ⚫Computer/serverperipherals ⚫POL ⚫Synchronousbuckconverter ⚫TelecomDC/DC Features ⚫VDS(V)=30V,ID=29A ⚫RDS(ON)@VGS=10V,TYP9.5mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP12.5mΩ

ACE

ACE Technology Co., LTD.

BD13810

MediumPowerLinearandSwitchingApplications

Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    BD13810S

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    63 @ 150mA,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON Semiconductor
2022+
TO-126-3
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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更多BD13810S供应商 更新时间2024-5-24 8:24:00