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BCX19LT1G	文件：134.44 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCX19LT1G	文件：105 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCX19LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode HighVoltage SwitchingDiodeDeviceMarking: •BAS19LT1=JP •BAS20LT1=JR •BAS21LT1=JS •BAS21DW5T1=JS Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：61.07 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:120V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAS19LT1	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1D	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode HighVoltage SwitchingDiodeDeviceMarking: •BAS19LT1=JP •BAS20LT1=JR •BAS21LT1=JS •BAS21DW5T1=JS Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BAS19LT1G	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BCX19LT1	文件：51.62 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BCX19LT1	文件：87.11 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BCX19LT1	文件：64.54 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors(VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors) GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBAS19LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBAS19LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVBAS19LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
BCX19LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
620mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3

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更多BCX19LT1G供应商更新时间2024-4-30 16:08:00

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