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BCW70LT1D	文件：271.04 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS70LT1	文件：72.05 Kbytes Page：4 Pages	CASE31808,STYLE8SOT23(TO236AB) SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespa	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BAS70LT1	文件：45.87 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS70LT1	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBarrierDiode SCHOTTKYBarrierDiode TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespac	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
BAS70LT1	文件：47.19 Kbytes Page：3 Pages	70VOLTSSCHOTTKYBARRIERDIODES	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS70LT1G	文件：47.19 Kbytes Page：3 Pages	70VOLTSSCHOTTKYBARRIERDIODES	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS70LT1G	文件：45.87 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS70LT1G	文件：131.99 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodesExtremelyFastSwitchingSpeedLowForwardVoltage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS70LT1G	文件：88.82 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitching applications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylow forwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemount packageisexcellentforhandheldandportableapplicationswhere	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS70LT1G	文件：164.88 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAV70LT1	文件：55.64 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicDualSwitchingDiodeCommonCathode Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAV70LT1	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	MonolithicDualSwitchingDiodeCommonCathode MonolithicDualSwitchingDiodeCommonCathode	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
BAV70LT1	文件：81.3 Kbytes Page：4 Pages	CASE318-08,STYLE9SOT-23(TO-236AB) MonolithicDualSwitchingDiodeCommonCathode	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BAV70LT1	文件：52.62 Kbytes Page：4 Pages	DualSwitchingDiodeCommonCathode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAV70LT1	文件：102.76 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+15℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
BAV70LT1	文件：130.1 Kbytes Page：4 Pages	DualSwitchingDiodeCommonCathode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAV70LT1	文件：369.3 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes(SWITCHINGDIODE) SWITCHINGDIODE FEATURES •FastSwitchingSpeed •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •HighConductance	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
BAV70LT1	文件：158.25 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode FEATURES ■Powerdissipation,PD:225mW(Tamb=25℃) ■ForwardCurrent,IF:200mA ■ReverseVoltage,VR:70V ■Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,Tstg:-55℃to+150℃ ■SOT-23Plastic-Encapsulatepackage	SSC Silicon Standard Corp.
BAV70LT1	文件：223.7 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+15℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
BAV70LT1D	文件：130.1 Kbytes Page：4 Pages	DualSwitchingDiodeCommonCathode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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详细参数

型号：
BCW70LT1D
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
General Purpose Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCW70LT1D供应商更新时间2024-4-22 15:17:00

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