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BCW66GLT3G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BCW66GLT3G
厂商型号

BCW66GLT3G

参数属性

BCW66GLT3G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3

功能描述

General Purpose Transistor NPN Silicon
TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

116.32 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 23:00:00

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BCW66GLT3G规格书详情

BCW66GLT3G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的BCW66GLT3G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

General Purpose Transistor

NPN Silicon

Features

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BCW66GLT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-23(TO-236)
7957
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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NEXPERIA/安世
24+
原厂原封可拆样
65258
百分百原装现货,实单必成
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原装ON/安森美
19+
SOT23-3
10000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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MICROCOMMERCIALCOMPONENTS
24+
NA
54000
原装现货,专业配单专家
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24+
SOT-23 (TO-236)
25000
ON全系列可订货
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NK/南科功率
2025+
SOT-23-3
986966
国产
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23+
原厂原封
21000
订货1周 原装正品
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1983
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SOT-23
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ZETEX
24+
SOT-23
13200
新进库存/原装
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