BCW66G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BCW66G |
| 参数属性 | BCW66G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 45V 1A SOT23-3 |
| 功能描述 | 45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-236AB / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
300.25 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 13:48:00 |
| 人工找货 | BCW66G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BCW66G规格书详情
General description
NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complements: BCW68F/G/H
Features and benefits
• High current
• AEC-Q101 qualified
Applications
• General-purpose switching and amplification
产品属性
- 产品编号：
BCW66G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 100mA，1V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 45V 1A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOD323 |
117000 |
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