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BCW30LT1	文件：345.26 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：345.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW30LT1	文件：245.87 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：245.87 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW30LT1	文件：290.71 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：290.71 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BCW30LT1	文件：451.61 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：451.61 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
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BCW30LT1G	文件：245.87 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：245.87 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW30LT1G	文件：255.8 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：255.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW30LT1G_16	文件：255.8 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：255.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW30LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
BCW30LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 32V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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