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BCP53-10T1G

PNP Silicon Epitaxial Transistors

ThisPNPSiliconEpitaxialtransistorisdesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT−223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. •HighCurrent •NPNComplementisBCP56 •TheSOT−223Packagecanbesolderedusingwaveorrefl

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BCP53-10T1G

PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT

ThisPNPSiliconEpitaxialtransistorisdesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT−223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. •HighCurrent •NPNComplementisBCP56 •TheSOT−223Packagecanbesolderedusingwaveorrefl

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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 100V PNP

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BCP53-10T1G

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 1.5A SOT223

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产品属性

  • 产品编号:

    BCP53-10T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    63 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1.5A SOT223

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更多BCP53-10T1G供应商 更新时间2025-8-2 20:59:00